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　　电子专业术语;1、Activeparts(Devices)主动零件（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指半导体类之各种主动性集成电路器或晶体管，相对另有Passive﹣Parts被动零件，如电阻器、电容器等。;2、Array排列，数组（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;系指通孔孔位，或表面黏装焊垫，以方格交点式着落在板面上(即矩阵式)数组情形。常见针脚格点式排列插装零件称为PGA(PinGridArray)，另一个球脚格点矩阵式排列贴装零件，则称为BGA(BallGridArray)。;3、ASIC特定用途集成电路器（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;Application-SpecificIntegratedCircuit，如电视、音响、录放机、摄影机等各种专用型订做IC即是。;4、Axial-lead轴心引脚（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指传统圆柱式电阻器或电容器，均自两端中心有接脚引出，用以插装在板子通孔中，以完成其整体功效。;5、BallGridArray球脚数组(封装)（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是一个大型组件引脚封装方式，与QFP四面引脚相同，都是利用SMT锡膏焊接与电路板相连。其不一样处是罗列在四面一度空间单排式引脚，如鸥翼形伸脚、平伸脚、或缩回腹底J型脚等；改变成腹底全方面数组或局部数组，采行二度空间面积性焊锡球脚分布，做为芯片封装体对电路板焊接互连工具。BGA是1986年Motorola企业所开发封装法，先期是以BT有机板材制做成双面载板(Substrate)，代替传统金属脚架(LeadFrame)对IC进行封装。BGA最大好处是脚距(LeadPitch)比起QFP要宽松很多，当前许多QFP脚距已紧缩到12.5mil甚至9.8mil之密距(如P5笔记型计算机所用DaughterCard上320脚CPU焊垫即是，其裸铜垫面上焊料现采SuperSolder法施工)，使得PCB制做与下游组装都非常困难。但同功效CPU若改成腹底全方面方阵列脚BGA方式时，其脚距可放松到50或60mil，大大舒缓了上下游技术困难。当前BGA约可分五类，即：;(1)塑料载板(BT)P-BGA(有双面及多层)，这类国内已开始量产。;(2)陶瓷载板C-BGA;(3)以TAB方式封装T-BGA;(4)只比原芯片稍大一些超小型m-BGA;(5)其它特殊BGA，如Kyocera企业D-Bga(Dimpled),olinM-BGA及Prolinx企业V-BGA等。后者尤其值得一提，因其产品首先在国内生产，且十分困难。做法是以银膏做为层间互连导电物料，采增层法(BuildUp)制做V-BGA(Viper)，???载板中因有两层厚达10mil以上铜片充任散热层，故可做为高功率(5～6W)大型IC封装用途。;6、BareChipAssembly裸体芯片组装（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;从已完工晶圆(Water)上切下芯片，不按传统之IC先行封装成体，而将芯片直接组装在电路板上，谓之BareChipAssembly。早期COB(ChiponBoard)做法就是裸体芯片详细使用，不过COB是采芯片后面黏贴在板子上，再行打线及胶封。而新一代BareChip却连打线也省掉，是以芯片正面各电极点，直接反扣熔焊在板面各配合点上，称为FlipChip法。或以芯片凸块扣接在TAB内脚上，再以其外脚连接在PCB上。此二种新式组装法皆称为裸体芯片组装，可节约整体成本约30%左右。;7、BeamLead光芒式平行密集引脚（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是指卷带自动结合(TAB)式载体引脚，可将裸体芯片直接焊接在TAB内脚上，并再利用其外脚焊接在电路板上，这种做为芯片载体梁式平行密集排列引脚，称为BeamLead。;8、BondingWire结合线（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指从IC内藏芯片与引脚整间完成电性结合金属细线而言，惯用者有金线、Bump突块（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指各种突起小块，如杜邦企业一个SSD制程(SelectiveSolderDeposit)中各种SolderBump法，即突块一个用途(详见电路板信息杂志第48期P.72)。又，TAB之组装制程中，芯片(Chip)上线路面四面外围，亦做有许多小型焊锡或黄金突块(面积约1μ2)，可用以反扣覆接在TAB对应内脚上，以完成晶粒(Chip)与载板(PCB)各焊垫互连。此突块之角色至为主要，此制程当前国内还未推广。;10、BumpingProcess凸块制程（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指在线路完工晶圆表面，再制做上微小焊锡凸块(或黄金凸块)，以方便下游进行TAB与FlipChip等封装与组装制程。这种尺寸在1mm左右微小凸块，其制作技术非常困难，国内至今还未投入生产。;11、C4ChipJoint，C4芯片焊接（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;利用锡铅之共融合金(63/37)做成可高温软塌凸球，并定构于芯片后面或线路正面，对下游电路板进行直接安装(DCA)，谓之芯片焊接。C4为IBM企业二十多年前所开故制程，原指对芯片进行可控制软塌芯片焊接(ControlledCollapsedChipConnection)，现又广用于P-BGA对主机板上组装焊接，是芯片连接以外另一领域塌焊法。;12、Capacitance电容（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;当两导体间有电位差存在时，其介质之中会集蓄电能量，些时将会有电容出现。其数学表示方式C＝Q／V，即电容(法拉)＝电量(库伦)／电压(伏特)。若两导体为平行之平板(面积A)，而相距d，且该物质之介质常数(DielectricConstant)为ε时，则C＝εA／d。故知当A、d不变时，介质常数愈低，则其间所出现电容也将愈小。;13、Castallation堡型集成电路器（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是一个无引脚大型芯片(VLSI)瓷质封装体，可利用其各垛口中金属垫与对应板面上焊垫进行焊接。此种堡型IC较少用于普通性商用电子产品，只有在大型计算机或军用产品上才有用途。;14、ChipInterconnection芯片互连（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指半导体集成电路(IC)内心脏部份之芯片(Chip)，在进行封装成为完整零件前之互连作业。传统芯片互连法，是在其各电极点与引脚之间采打线方式(WireBonding)进行；后有卷带自动结合(TAB)法；以及最先进困难覆晶法(FlipChip)。后者是近乎裸晶大小封装法(CSP)，精密度非常高。;15、ChiponBoard芯片黏着板（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是将集成电路之芯片，以含银环氧树脂胶，直接贴合黏着在电路板上，并经由引脚之打线(WireBonding)后，再加以适当抗垂流性环氧树脂或硅烷(Silicone)树脂，将COB区给予密封，如此可省掉集成电路封装成本。一些消费级电子表笔或电子表，以及各种定时器等，皆可利用此方式制造。该次微米级超细线路是来自铝膜真空蒸着(VacuumDeposit)，精密光阻，及精密电浆蚀刻(PlasmaEtching)法所制得晶圆。再将晶圆切割而得单独芯片后，并续使晶粒在定架中心完成焊装(DieBond)后，再经接脚打线、封装、弯脚成型即可得到常见IC。其中四面接脚大型IC(VLSI)又称ChipCarrier芯片载体，而新式TAB也是一个无需先行封装芯片载体。又自SMT盛行以来，原应插装电阻器及电容器等，为节约板面组装空间及方便自动化起见，已将其卧式轴心引脚封装法，更改而为小型片状体，故亦称为片状电阻器ChipResistor，或片状电容器ChipCapacitor等。又，Chips是指钻针上钻尖部份之第一面切削刃口之崩坏，谓之Chips。;16、ChipOnGlass晶玻接装(COG)(芯片对玻璃电路板直接安装)（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;液晶显像器(LCD)玻璃电路中，其各ITO(IndiumTinOxide)电极，须与电路板上各种驱动IC互连，才能发挥显像功效。当前各类大型IC仍广采QFP封装方式，故须先将QFP安装在PCB上，然后再用导电胶(如Ag/Pd膏、Ag膏、单向导电胶等)与玻璃电路板互连结合。新开故做法是把驱动用大型IC(DriverLSI)Chip，直接用覆晶方式扣装在玻璃板ITO电极点上，称为COG法，是一很先进组装技术。类似说法还有COF(ChiponFilm)等。ConformalCoating贴护层，护形完成零件装配板子，为使整片板子外???受到仔细保护起见，再以绝缘性涂料给予封护涂装，使有更加好信赖性。普通军用或较高层次装配板，才会用到这种外形贴护层。;17、Chip晶粒、芯片、片状（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;各种集成电路(IC)封装体心脏位置处，皆装有线路密集晶粒(Dies)或芯片(Chip)，此种小型线路片，是从多片集合晶圆(Wafer)上所切割而来。;18、DaisyChainedDesign菊瓣环设计（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指由四面矩垫紧密排列所组成之方环状设计，如同菊瓣依序罗列而成花环。常见者如芯片外围之电极垫，或板面各式QFP之焊垫均是。;19、Device电子组件（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是指在一独立个体上，可执行独立运作功效，且非经破坏无法再深入区分其用途基本电子零件。;20、Dicing芯片分割（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指将半导体晶圆(Wafer)，以钻石刀逐一切割成电路体系完整芯片(Chip)或晶粒(Die)单位，其分割之过程称为Dicing。;21、DieAttach晶粒安装（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;将完成测试与切割后良好晶粒，以各种方法安装在向外互连引线架体系上(如传统LeadFrame或新型BGA载板)，称为安晶。然后再自晶粒各输出点(Output)与脚架引线间打线互连，或直接以凸块(Bump)进行覆晶法(FlipChip)结合，完成IC封装。上述之晶粒安装，早期是以芯片后面镀金层配合脚架上镀金层，采高温结合(T.C.Bond)或超音波结合(U.C.Bond)下完成结合，故称为DieBond。但当前为了节约镀金与因应板面直接晶粒安装(DCA或COB)之新制程起见，已改用含银导热胶之接着，代替镀金层熔接，故改称为DieAttach。;22、DieBonding晶粒接着（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;Die亦指集成电路之心脏部份,系自晶圆(Wafer)上所切下一小片有线路晶粒，以其后面金层，与定架(LeadFrame)中央镀金面，做瞬间高温之机械压迫式熔接(ThermoCompressionBonding,T.C.Bonding)。或以环氧树脂之接着方式给予固定，称为DieBond，完成IC内部线、Diode二极管（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;为半导体组件晶体管(Transistor)之一个，有两端点接在一母体上，当所施加电压极性大小不一样时，亦将展现不一样导体性质。另一个发光二极管可代替仪表板上各种颜色发光点，比普通灯泡省电又耐用。当前二极管已多半改成SMT形式，图中所表示者即为SOT-23之解剖图。;24、DIP(DualInlinePackage)双排脚封装体（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指含有双排对称接脚零件，可在电路板双排对称脚孔中进行插焊。此种外形零件以早期各式IC居多，而部份网状电阻器亦采取之。;25、DiscreteComponent散装零件（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指普通小型被动式电阻器或电容器，有别于主动零件功效集中集成电路。;26、Encapsulating囊封、胶囊（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;为了防水或预防空气影响，对一些物品加以封包而与外界隔绝之谓。;27、EndCap封头（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指SMD一些小型片状电阻器或片状电容器，其两端可做为导电及焊接金属部份，称为EndCap。;28、FlatPack扁平封装（之零件）（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指薄形零件，如小型特殊IC类，其两侧有引脚平行伸出，可平贴焊接在板面，使组装品体积或厚度得以大幅降低，多用于军品，是SMT先河。;29、FlipChip覆晶，扣晶（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;芯片在板面上反扣直接结合，早期称为FacedownBonding，是以凸出式金属接点(如GoldBump或SolderBump)做连接工具。此种凸起状接点可安置在芯片上，或承接板面上，再用C4焊接法完成互连。是一个芯片在板面直接封装兼组装之技术(DCA或COB)。;30、FourPointTwisting四点扭曲法（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;本法是针对一些黏焊在板面上大型QFP，欲了解其各焊点强度怎样一个外力试验法。即在板子两对角处设置支撑点，而于其它两对角处施加压力，强迫板子扭曲变形，并从其变形量与压力大小关系上，观察各焊点强度。;31、GalliumArsenide(GaAs)砷化镓（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是常见半导体线路一个基板材料，其化学符号为GaAs，可用以制造高速IC组件，其速度要比以硅为芯片基材者更加快。;32、GateArray闸极数组，闸列（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是半导体产品基本要素，指控制讯号入口之电极，习惯上称之为闸。;33、GlobTop圆顶封装体（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指芯片直接安装于板面(Chip-On-Board)一个圆弧外形胶封体(Encapsulant)或其施工法而言。所用封胶剂有环氧树脂、硅树脂(Silicone，又称聚硅酮)或其等混合胶类。;34、GullWingTead鸥翼引脚（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;此种小型向外伸出双排脚，是专为表面黏装SOIC封装之用，系1971年由荷兰Philips企业所首先开发。此种本体与引脚结合外形，很像海鸥展翅样子，故名鸥翼脚。其外形尺寸当前在JEDECMS-012及-013规范下，已经完成标准化。;35、IntegratedCircuit(IC)集成电路器（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;在多层次同一薄片基材上(硅材)，布置许多微小电子组件(如电阻、电容、半导体、二极管、晶体管等)，以及各种微小互连(Interconnection)导体线路等，所集合而成综合性主动零件，简称为I.C.。;36、J-LeadJ型接脚（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是PLCC(PlasticLeadedChipCarrier)塑料晶(芯)片载体(即VLSI)标准接脚方式，因为这种双面接脚或四面脚接之中大型表面黏装组件，含有相当节约板子面积及焊后轻易清洗优点，且未焊装前各引脚强度也甚良好不易变形，比另一个鸥翼接脚(GullWingLead)法更轻易维持共面性(Coplanarity)，已成为高脚数SMD在封装(Packaging)及组装(Assembly)上最正确方式。;37、Lead引脚，接脚（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;电子组件欲在电路板上生根组装时，必须含有各式引脚而用以完成焊接与互连工作。早期引脚多采插孔焊接式，近年来因为组装密度增加，而渐改成表面黏装式(SMD)贴焊引脚。且亦有无引脚却以零件封装体上特定焊点，进行表面黏焊者，是为Leadless零件。;38、KnownGoodDie(KGD)已知之良好芯片（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;IC之芯片可称为Chip或Die，完工晶圆(Wafer)上有许多芯片存在，其等品质有好有坏，继续经过寿命试验后(Burn-inTest亦称老化试验)，其已知电性良好芯片称为KGD。不过KGD定义相当分歧，即使同一企业对不一样产品或同一产品又有不一样客户时，其定义也都难以一致。一个代表性说法是：「某种芯片经老化与电测后而有良好电性品质，续经封装与组装之量产一年以上，仍能维持其良率在99.5％以上者，这种芯片方可称KGD」。;39、LeadFrame脚架（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;各种有密封主体及多只引脚电子组件，如集成电路器(IC)，网状电阻器或简单二极管三极体等，其主体与各引脚在封装前所暂时固定金属架，称成LeadFrame。此词亦被称为定架或脚架。其封装过程是将中心部份芯片(Die，或Chip芯片)，以其后面金层或银层，利用高温熔接法与脚架中心镀金层加以固定,称为DieBond。再另金线或铝线从已牢靠芯片与各引脚之间给予打线连通，称为LeadBond。然后再将整个主体以塑料或陶瓷给予封牢，并剪去脚架外框，及深入弯脚成形，即可得到所需组件。故知脚架在电子封装工业中占很主要地位。其合金材料惯用者有Kovar、Alloy42以及磷青铜等，其成形方式有模具冲切法及化学蚀刻法等。;40、LeadPitch脚距（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指零件各种引脚中心线间距离。早期插孔装均为100mil标准脚距，现密集组装SMTQFP脚距，由起初50mil一再紧缩，经25mil、20mil、16mil、12.5mil至9.8mil等。普通认为脚距在25mil(0.653mm)以下者即称为密距(FinePitch)。;41、Multi-Chip-Module(MCM)多芯片(芯片)模块（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;这是从90年才开始发展另一个微电子产品，类似当前小型电路板IC卡或Smart卡等。不过MCM所不一样者，是把各种还未封装成体IC，以裸体芯片(BareChips)方式，直接用传统DieBond或新式FlipChip或TAB之方式，组装在电路板上。如同早期在板子上直接装一枚芯片电子表笔那样，还需打线及封胶，称为COB(ChipOnBond)做法。但如今MCM却复杂了许多，不但在多层板上装有多枚芯片，且直接以凸块结合而不再打线。是一个高层次(HighEnd)微电子组装。MCM定义是仅在小板面上，进行裸体芯片无需打线直接组装，其芯片所占全板面积在70％以上。这种经典MCM共有三种型式即(当前看来以D型最具潜力)：;MCM-L：系仍采取PCB各种材质基板(Laminates)，其制造设傋及方法也与PCB完全相同，只是较为轻薄短小而已。当前国内能做IC卡，线mil者，将可生产这类MCM。但因需打芯片及打线或反扣焊接关系，致使其镀金凸块(Bump)纯度须达99.99％，且面积更小到1微米见方，此点则比较困难。;MCM-C：基材已改用混成电路(Hybrid)陶瓷板(Ceramic)，是一个瓷质多层板(MLC)，其线路与Hybrid类似，皆用厚膜印刷法金膏或钯膏银膏等做成线路，芯片组装也采取反扣覆晶法。;MCM-D：其线路层及介质层多层结构，是采取蒸着方式(Deposited)薄膜法，或GreenTape线路转移法，将导体及介质逐次迭层在瓷质或高分子质底材上，而成为多层板组合，此种MCM-D为三种中之最精密者。;42、OLB(OuterLeadBond)外引脚结合（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是卷带自动结合TAB(TapeAutomaticBonding)技术中一个制程站是指TAB组合体外围四面向外引脚，可分别与电路板上所对应焊垫进行焊接，称为外引脚结合。这种TAB组合体亦另有四面向内引脚，是做为向内连接集成电路芯片(Chip或称芯片)用，称为内引脚接合(ILB)，实际上内脚与外脚原来就是一体。故知TAB技术，简单说就是把四面密集内外接脚当成桥梁，而以OLB方式把复杂IC芯片半成品，直接结合在电路板上，省去传统IC事先封装麻烦。;43、Packaging封装，构装（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;此词简单说是指各种电子零件，完成其密封及成型系列制程而言。但若扩大延伸其意义时，那幺直到大型计算机完工上市前，凡各种制造工作都可称之为InterconncetedPackaging互连构装。若将电子王国分成许多层次阶级制度时(Hierarchy)，则电子组装或构装各种等级，按规模从小到大将有：Chip(芯片、芯片制造)，ChipCarrier(集成电路器之单独成品封装)，Card(小型电路板之组装)，及Board(正规电路板之组装)等四级，再加系统构装则共有五级。;44、PassiveDevice(Component)被动组件（零件）（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是指一些电阻器(Resistor)、电容器(Capacitor)，或电感器(Incuctor)等零件。当其等被施加电子讯号时，仍一本初衷而不改变其基本特性者，谓之被动零件；相对另有主动零件(ActiveDevice)，如晶体管(Tranistors)、二极管(Diodes)或电子管(ElectronTube)等。;45、Photomask光罩（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;这是微电子工业所用术语，是指半导体晶圆(Wafer)在感光成像时所用玻璃底片，其暗区之遮光剂可能是普通底片乳胶，也可能是极薄金属膜(如铬)。此种光罩可用在涂有光阻剂硅晶圆片面上进行成像，其做法与PCB很相同，只是线μm)级，甚至次微米级(0.5μm)精度，比电路板上最细线、PinGridArray(PGA)矩阵式针脚封装（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是指一个复杂封装体，其反面是采矩阵式格点之针状直立接脚，能分别插装在电路板之通孔中。正面则有中间下陷之多层式芯片封装互连区，比起双排插脚封装体(DIP)更能布置较多I/OPins。附图即为其示意及实物图。;47、PopcornEffect爆米花效应（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;原指以塑料外体所封装IC，因其芯片安装所用银膏会吸水，一旦未加防范而径行封牢塑体后，在下游组装焊接遭遇高温时，其水分将因汽化压力而造成封体爆裂，同时还会发出有如爆米花般声响，故而得名。最近十分盛行P-BGA封装组件，不但其中银胶会吸水，且连载板之BT基材也会吸水，管理不良时也常出现爆米花现象。;48、Potting铸封，模封（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指将轻易变形受损，或必须隔绝各种电子组装体，先置于特定模具或凹穴中，以液态树脂加以浇注灌满，待硬化后即可将线路组体固封在内，并可将其中空隙皆给予填满，以做为隔绝性保护，如TAB电路、集成电路，或其它电路组件等之封装，即可采取Potting法。Potting与Encapsulating很类似，但前者更强调固封之内部不可出现空洞(Voids)缺点。;49、PowerSupply电源供给器（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指可将电功供给给另一单元装置，如变压器(Transfomer)、整流器(Rectifier)、滤波器(Filter)等皆属之，能将交流电变成直流电，或在某一极限内，维持其输入电压恒定等装置。;50、Preform预制品（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;常指各种封装原料或焊接金属等，为方便施工起见，特将其原料先做成某种轻易操控掌握形状，如将热熔胶先做成小片或小块，以方便称取重量进行熔化调配。或将瓷质IC熔封用玻璃，先做成小珠状，或将焊锡先做成小球小珠状，以利调成锡膏(SolderPaste)等，皆称为Preform。;51、PurplePlague紫疫（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;当金与铝彼此长久紧密接触，并曝露于湿气以及高温(350℃以上)之环境中时，其接口间生成一个紫色共化物谓之PurplePlague。此种紫疫含有脆性，会使金与铝之间接合出现崩坏情形，且此现象当其附近有硅(Silicone)存在时，更轻易生成三元性(Ternary)共化物而加速恶化。因而当金层必须与铝层亲密接触时，其间即应另加一个屏障层(Barrier)，以阻止共化物生成。故在TAB上游凸块(Bumping)制程中，其芯片(Chip)表面各铝垫上，必须要先蒸着一层或两层钛、钨、铬、镍等做为屏障层，以保障其凸块固着力。(详见电路板信息杂志第66期P.55)。;52、QuadFlatPack(QFP)方扁形封装体（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是指含有方型之本体，又有四面接脚之大规模集成电路器(VLSI)普通性通称。这类用于表面黏装之大型IC，其引脚型态可分成J型脚(也可用于两面伸脚SOIC，较易保持各引脚之共面性Coplanarity)、鸥翼脚(GullWing)、平伸脚以及堡型无接脚等方式。日常口语或文字表示时，皆以QFP为简称，亦有口语称为QuadPack。大陆业界称之为大型积成块。;53、RadialLead放射状引脚（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指零件引脚是从本体侧面散射而出，如各种DIP或QFP等，与自零件两端点伸出轴心引脚(Axiallead)不一样。;54、Relay继电器（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是一个如同活动接点特殊控制组件，当经过之电流超出某一定值时，该接点会断开(或接通)，而让电流出现中止及续通动作，以刻意影响同一电路或其它电路中组件之工作。按其制造之原理与结构，而制作成电磁圈、半导体、压力式、双金属之感热、感光式及簧片开关等各种方式继电器，是电机工程中主要组件。;55、Semi-Conductor半导体（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指固态物质(比如Silicon)，其电阻系数(Resistivity)是介乎导体与电阻体之间者，称为半导体。;56、SeparableComponentPart可分离式零件（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指在主要机体上零件或附件，其等与主体之间没有化学结协力存在，且亦未另加保护皮膜、焊接或密封材料(PottingCompound)等补强办法；使得随时能够拆离，称为可分离式零件。;57、Silicon硅（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是一个黑色晶体状非金属原素，原子序14，原子量28，约占地表物质总重量比25％，其氧化物之二氧化硅即砂土主要成份。纯硅之商业化制程，系将SiO2经由复杂程序屡次还原反应，而得到99.97％纯硅晶体，切成薄片后可用于半导体晶圆制造，是近代电子工业中最主要材料。;58、Single-In-linePackage(SIP)单边插脚封装体（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是一个只有一直排针柱状插脚，或金属线式插脚零件封装体，谓之SIP;59、SolderBump焊锡凸块（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;芯片(Chip)可直接在电路板面上进行反扣焊接(FilpChiponBoard)，以完成芯片与电路板组装互连。这种反扣式COB覆晶法，能够省掉芯片许多先行封装(Package)制程及成本。但其与板面之各接点，除PCB需先备妥对应之焊接基地外，芯片本身之外围各对应点，也须先做上各种圆形或方形微型焊锡凸块，当其凸块只安置在芯片四面外围时称为FCOB，若芯片全表面各处都有凸块皆布时，则其覆晶反扣焊法特称为ControlledCollapsedChipConnection简称C4法。;60、SolderColumPackage锡柱脚封装法（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是IBM企业所开发制程。系陶瓷封装体C-BGA以其高柱型锡脚在电路板上进行焊接组装之方法。此种焊锡柱脚之锡铅比为90／10，高度约150mil，可在柱基加印锡膏完成熔焊。此锡柱居于PCB与C-BGA之间，有分散应力及散热功效，对大型陶瓷零件(边长达35mm～64mm)十分有利。;61、SpinningCoating自转涂布（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;半导体晶圆(Wafer)面上光阻剂之涂布，多采自转式涂布法。系将晶圆装设在自转盘上，以感光乳胶液小心浇在圆面中心，然后利用离心力(CentrifugalForce)与附着力二者较量后平衡，而在圆面上留下一层均匀光阻皮膜涂布法称之。此法亦可用于其它场所涂布施工。;62、TapeAutomatedBonding(TAB)卷带自动结合（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是一个将多接脚大规模集成电路器(IC)芯片(Chip)，不再先进行传统封装成为完整个体，而改用TAB载体，直接将未封芯片黏装在板面上。即采聚亚醯胺(Polyimide)之软质卷带，及所附铜箔蚀成内外引脚当成载体，让大型芯片先结合在内引脚上。经自动测试后再以外引脚对电路板面进行结合而完成组装。这种将封装及组装合而为一新式构装法，即称为TAB法。此TAB法不但可节约IC事前封装成本，且对300脚以上多脚VLSI，在其采行SMT组装而困难重重之际，TAB将是多脚大零件组装新希望(详见电路板信息杂志第66期之专文)。;63、ThermocompressionBonding热压结合（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是IC一个封装方法，即将很细金线或铝线，以加温加压方式将其等两线端分别结合在芯片(芯片)各电极点与脚架(LeadFrame)各对应内脚上，完成其功效结合，称为热压结合，简称T.C.Bond。;64、ThermosonicBonding热超音波结合（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;指集成电路器中，其芯片与引脚间打线结合一个方法。即利用加热与超音波两种能量合并进行，谓之ThermosonicBonding，简称TSBond。;65、ThinSmallOutlinePackange(TSOP)薄小型集成电路器（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;小型两侧外伸鸥翼脚之IC(SOIC)，其脚数约20～48脚，含脚在内之宽度6～12mm，脚距0.5mil。若用于PCMCIA或其它手执型电子产品时，则还要深入将厚度减薄二分之一，称为TSOP。此种又薄又小双排脚IC可分为两型；TypeⅠ是从两短边向外伸脚，TypeⅡ是从两长边向外伸脚。;66、Three-LayerCarrier三层式载体（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;这是指卷带自动结合(TAB)式芯片载体基材结构情形，由薄片状之树脂层(通惯用聚亚醯胺之薄膜)、铜箔，及居于其间接着剂层等三层所共同组成，故称为Three-LayerCarrier。相对有两层式载体，即除掉中间接着剂层TAB产品。;67、TransferBump移用式突块，转移式突块（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;卷带自动结合式芯片载体，其内引脚与芯片之结合，必须要在芯片各定点处，先做上所需焊锡突块或黄金突块，当成结合点与导电点。其做法之一就是在其它载体上先备妥突块，于进行芯片结合前再将突块转移到各内脚上，方便继续与芯片完成结合。这种先做好突块即称为移用式突块。;68、Transistor晶体管（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是一个半导体式动态零件(ActiveComponents)，含有三个以上电极，能执行整流及放大功效。其中芯片之原物料主要是用到锗及硅元素，并刻意加入少许杂质，以形成负型(nType)及正型(pType)等不一样简单半导体，称之为晶体管。此种Transistor有引脚插装或SMT黏装等方式。;69、UltrasonicBonding超音波结合（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是利用超音波频率(约10KHz)振荡能量，及机械压力双重作用下，可将金线或铝线，在IC半导体芯片上完成打线、TwoLayerCarrier两层式载体（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;这也是卷带式芯片载体一个新材料，与业界一向所使用三层式载体不一样。其最大区分就是取消了中间接着剂层，只剩下Polyimide树脂层及铜箔层等两层直接密贴，不但在厚度上变薄及更具柔软性外，其它性能也多有改进，只是当前还未到达量产化地步。;71、VeryLarge-ScaleIntegration(VLSI)极大规模集成电路器（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;凡在单一晶粒(Die)上所容纳半导体(Transistor)其数量在8万个以上，且其间互联机路宽度在1.5μ(60μin)以下，而将此种极大容量晶粒封装成??四面多接脚方型IC者，称为VLSI。按其接脚方式不一样，此等VLSI有J型脚、鸥翼脚、扁平长脚、堡型垫脚，等各种封装方式。当前容量更大接脚更多(如250脚以上)IC，因为在电路上SMT安装日渐困难，于是又改将裸体晶粒先装在TAB载架内脚上，再转装于PCB上；以及直接将晶粒反扣覆装，或正贴焊装在板面上，不过当前皆还未在普通电子性工业量产中流行。;72、Wafer晶圆（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;是半导体组件晶粒或芯片基材，从拉伸长出高纯度硅元素晶柱(CrystalIngot)上，所切下之圆形薄片称为晶圆。之后采取精密光罩经感光制程得到所需光阻，再对硅材进行精密蚀刻凹槽，及续以金属之真空蒸着制程，而在各自独立晶粒或芯片(Die，Chip)上完成其各种微型组件及微细线路。至于晶圆后面则还需另行蒸着上黄金层，以做为晶粒固着(DieAttach)于脚架上用途。以上流程称为WaferFabrication。早期在小集成电路时代，每一个6吋晶圆上制作数以千计晶粒，现在次微米线宽大型VLSI，每一个8吋晶圆上也只能完成一两百个大型芯片。Wafer制造虽动辄投资数百亿，但却是全部电子工业基础。;73、WedgeBond楔形结合点（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;半导体封装工程中，在芯片与引脚间进行各种打线；如热压打线TCBond、热超音波打线TSBond、及超音波打线UCBond等。打牢结合后须将金线末端压扁拉断，方便另在其它区域继续打线。此种压扁与拉断第二点称为WedgeBond。至于打线头在芯片上起点处，先行压缩打上另一个球形结合点，则称为BallBond。左四图分别为两种结合点侧视图与俯视图，以及其等之实物体。Welding熔接也是属于一个金属结合(Bonding)方法，与软焊(soldering或称锡焊)、硬焊(Brazing)同属冶金式(Metallugical)结正当。熔接法强度虽很好，但接点之施工温度亦极高，须超出被接合金属熔点，故较少用于电子工业。;74、WireBonding打线结合（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;系半导体IC封装制程一站，是自IC晶粒(Die或Chip)各电极上，以金线μ)进行各式打线结合，再牵线至脚架(LeadFrame)各内脚处续行打线以完成回路，这种两端打线工作称为WireBond。;75、Zig-ZagIn-LinePackage(ZIP)链齿状双排脚封装件（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;凡电子零件之封装体含有单排脚之结构，且其单排脚又采不对称交织型式安排，如同拉链左右交织之链齿般，故称为Zig-Zag式。ZIP是一个低脚数插焊小零件封装法，也可做成表面黏装型式。不过此种封装法只在日本业界中较为流行。;76、ASICApplicationSpecificIntegratedCircuit（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;特定用途之集成电路器是依照客户特定需求与功效而设计及制造IC，是一个可进行小量生产，快速变更生产机种，并能维持低成本IC。;77、BGABallGridArray（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;矩阵式球垫表面黏装组件(与PGA类似，但为SMD);78、BTABBumpedTape-AutomatedBonding（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;已经有突块自动结合卷带指TAB卷带各内脚上已转移有突块，可用以与裸体得片进行自动结合。;79、C-DIPCeramicDual-in-linePackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;瓷质双祭脚封装体(多用于IC);80、C4ControlledCollapseChpiconnection（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;可总握高度裸体芯片反扣熔塌焊接;81、CMOSComplimentaryMetal-OxideSemiconductor（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;互补性金属氧化物半导体(是融合P通路及N通路在同一片金属氧化物半导体上技术);82、COBChipOnBoard（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;芯片在电路板上直接组装。是一个早期将裸体芯片在PCB上直接组装方式。系以芯片后面采胶黏方式结合在小型镀金PCB上，再进行打线及胶封即完成组装，可省掉IC本身封装制程及费用。早期电子表笔与LED电子表等均将采COB法。不过这与近年裸体芯片反扣组装法(FlipChip)不一样，新式反扣法不但能自动化且连打线(WireBond)也省掉，而其品质与可靠度也都比早期COB要更加好。;83、CSPChipScalePackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;晶粒级封装;84、DIPDualInlinePackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;双排脚封装体(多指早期插孔组装集成电路器);85、FETField-EffectTranistor（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;场效晶体管利用输入电压所形成电场，可对输出电流加以控制，一个半导体组件，能执行放大、振荡及开关等功效。普通分为接面闸型场效晶体管，与金属氧化物半导体场效晶体管等两类;86、GaAsGalliumArsenide(Semiconductor)（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;砷化半导体是由砷(As)与(Ga)所化合而成半导体，其能隙宽度为1.4电子伏特，可用在晶体管之组件，其温度上限可达400℃。通常在砷化半导体中其电子移动速度，要比硅半导体中快六倍。GaAs将可发展成高频高速用集成电路，对超高速计算机及微波通信之用途将有很好远景。;87、HICHybridIntegratedCircuit（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;混合集成电路将电阻、电容与配线采厚膜糊印在瓷板上，另将二极管与晶体管以硅片为材料，再结合于瓷板上，如此混合组成组件称为HIC。;88、ICIntegratedCircuit（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;集成电路器是将许多主动组件(晶体管、???极管)和被动组件(电阻、电容、配线)等互连成为列阵，而生长在一片半导体基片上(如硅或砷化等)，是一个微型组件集合体，可执行完整电子电路功效。亦称为单石电路(MonolihicCircuits)。;89、ILBInnerLeadBonding（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;内引脚结合是指将TAB内引脚与芯片上突块(Bump;镀锡铅或镀金者)，或内引脚上突块与芯片所进行反扣结合制程。;90、KGDKnownGoodDie（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;确知良好芯片;91、LCCLeadlessChipCarrier（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;无脚芯片载体(是大型IC一个);92、LCCCLeadlessCeramicChipCarrier（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;瓷质无脚芯片载(大型IC一个);93、LGALandGridArray（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;焊垫格点排列指矩阵式排列之引脚焊垫，如BGA球脚数组封装体，或CGA柱脚数组封装体等皆属之。;94、LSILargeScaleIntegration（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;大规模集成电路指一片硅半导体芯片上，含有上千个基本逻辑闸和晶体管等各种独立微型之组件者，称为LSI。;95、MCMMultichipModule（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;多芯片模块是指一片小型电路板上，组装多枚裸体芯片，且约占表面积70%以上者称为MCM。此种MCM共有L、C及D等三型。L型(Laminates)是指由树脂积层板所制作多层板。C(Co-Fired)是指由瓷质板材及厚膜糊印刷所共烧混成电路板，D(Deposited)则采集成电路真空蒸着技术在瓷材上所制作电路板。;96、PGAPinGridArray（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;矩阵式插脚封装组件;97、PLCCPlasticLeadedChipCarrier（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;有脚塑料封装芯片载体(胶封大型IC);98、QFPQuadFlatPackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;四面督平接脚封装体(指大型芯片载体之瓷封及胶封两种IC);99、SIPSingleInlinePackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;单排脚封装体;100、SOICSmallOutlineIntergratedCircuit（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;小型外贴脚集成电路器指双排引脚之小型表面黏装IC，有鸥翼脚及J型脚两种。;101、SOJSmallOutlineJ-leadPackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;双排J型脚之封装组件;102、SOTSmall-OutlineTransistors（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;小型外贴脚之晶体管;103、TABTapeAutomaticBonding（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;卷带自动结合技术是先将裸体芯片以镀金或镀锡铅突块(Bump)反扣结合在卷带脚架内脚上(ILB)，经自动测试后，再以卷带架外脚结合在电路板焊垫上(OLB)，这种以卷带式脚架为中间载体，而将裸体芯片直接组装在PCB上技术，称为TAB技术。;104、TCPTapeCarrierPackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;卷带载体封装(此为日式说法，与美式说法TAB卷带自动结合相同);105、TFTThinFilmTransistor（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;薄膜式晶体管可用于大面积LCD之彩色显像，对未来之薄型电视非常有用。;106、TSOPThinSmallOutlinePlackage（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;薄超型外引脚封装体是一个又薄又小双排脚表面黏装微小IC，其厚度仅1.27mm，为正统SOJ高度四分之一而已。;107、ULSIUltraLargeScaleIntegration（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;超大规模集成电路;108、VHSICVeryHighSpeedIntegratedChips（BGA、TAB、零件、封装、Bonding）;极高速集成电路芯片

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